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硅單晶材料在受到外力作用產生極微小應變時(一般步于400微應變)，其內部原子結構的電子能級狀態(tài)會發(fā)生變化，從而導致其電阻率劇烈變化(G因子突變)。用此材料制成的電阻也就出現極大變化，這種物理效應稱為壓阻效應。利用壓阻效應原理，采用集成工藝技術經過摻雜、擴散，沿單晶硅片上的特點晶向，制成應變電阻，構成惠斯凳電橋，利用硅材料的彈性力學特性，在同一切硅材料上進行各向異性微加工，就制成了一個集力敏與力電轉換檢測于一體的擴散硅傳感器。給傳感器匹配一放大電路及相關部件，使之輸出一個標準信號，就組成了一臺完整的擴散硅壓力變送器。CN421型擴散硅壓力變送器采用全智能技術，結構緊湊、堅固、重量輕、便于安裝、使用方便、免維護；用于測量液體、氣體或蒸汽的液位、密度、壓力，然后將其轉變成4～20mADC HART電流信號輸出。

1.高精度、高穩(wěn)定性、高可靠性；
2.抗過載和抗沖擊力強；
3.量程覆蓋范圍廣；
4.過程連接形式多樣，具有齊平膜、衛(wèi)生型；
5.體積小、外形美觀；
6.直接過程連接無需安裝支架；
7.防雷擊、防射頻干擾；

電源電壓	16~28VDC(本安型經安全柵供電)
輸出信號	二線制 4 ～20mA DC/HART 協議數字通訊( 可選)
精度	±0.1%FS(典型) ±0.25%FS(最大)
負載電阻	（U～12V）/0.02Ω
穩(wěn)定性	≤±0.25%FS/年
接液材質	隔離膜片:316L 不銹鋼或鉭（可選）
壓力接口	不銹鋼1Cr18Ni9Ti/哈氏合金C
防護等級	IP65
防爆認證：	本安(Ex i b ⅡC T6) ;隔爆(Ex d ⅡC T6)
環(huán)境溫度：	溫度-40~+80℃
環(huán)境濕度：	0~90%RH
過程連接	M20*1.5外螺紋(膜片內藏)/ G1/2外螺紋(膜片內藏)/ M20*1.5外螺紋(齊平膜型) /卡箍式
壓力類型	表壓/絕壓

1.根據被測壓力量程，按實際測量壓力為測量范圍的80%選取。要考慮系統(tǒng)的最大壓力。一般來說，壓力變送器器壓力范圍最大值應該達到系統(tǒng)最大壓力值的1．5倍。一些水壓和過程控制，有壓力尖峰或者連續(xù)的脈沖。這些尖峰可能會達到“最大”壓力的5倍甚至10倍，可能造成變送器的損壞。連續(xù)的高壓脈沖，接近或者超過變送器的最大額定壓力，會縮短變送器的實用壽命。但提高變送器額定壓力會犧牲變送器的分辨率?？梢栽谙到y(tǒng)中使用緩沖器來減弱尖峰，這會降低傳感器的響應速度。
2.系統(tǒng)的最大過載應小于變送器的過載保護極限，否則會影響變送器的使用壽命甚至損壞變送器。通常壓力變送器的安全過載壓力為滿量程的2倍；
3.測量蒸汽或其它高溫介質時，需接加緩沖管（盤管）等冷凝器，不應使變送器的工作溫度超過極限；
4.冬季發(fā)生冰凍時，安裝在室外的變送器必需采取防凍措施，避免引壓口內的液體因結冰體積膨脹，導至傳感器損壞；
5.測量液體壓力時，變送器的安裝位置應避免液體的沖擊（水錘現象），以免傳感器過壓損壞；
6.接線時，將電纜穿過防水接頭（附件）或繞性管并擰緊密封螺帽，以防雨水等通過電纜滲漏進變送器殼體內；